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上半年預(yù)告出爐

！斯達(dá)半導(dǎo)
、露笑科技等多家半導(dǎo)體公司業(yè)績預(yù)增

近日

，半導(dǎo)體上市公司陸續(xù)發(fā)布2022年半年度業(yè)績預(yù)增公告
。

2022-07-28

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET<div id= 、IGBT的區(qū)別" title="SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET

、IGBT的區(qū)別

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化

，一直在進(jìn)行各種改良
。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗
、高速開關(guān)
、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的
。本章將通過其他功率晶體管的比較
，進(jìn)一步加深對SiC-MOSFET的理解。

2022-07-28

英飛凌采訪：第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存

相較于傳統(tǒng)的硅材料

，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料
，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強(qiáng)
，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓
、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性
。

2022-07-28

IGBT 功率模塊熱管理研究

隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展

，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問題日益突出
，對散熱的要求越來越高
，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴(yán)重影響器件的工作性能
。

2022-07-28

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