SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要
，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化
，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過
，如低損耗
、高速開關(guān)、高溫工作等
，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的
。本章將通過其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對SiC-MOSFET的理解
。
2022-07-28
相較于傳統(tǒng)的硅材料
，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度
、更高的臨界場強(qiáng)
，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻
、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性
。
2022-07-28
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)
，熱產(chǎn)生問題日益突出
，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件
，但熱量的積累會嚴(yán)重影響器件的工作性能
。
2022-07-28
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