相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性。
2022-07-28
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2022-07-28
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